技术创新一向是我们孜孜不倦的谋求和致力，，，，，，和您分享尊龙凯时成就是我们始终的周到 。。。。。。。。
公司一向致力于模拟/混合信号造程和功率器件/电路造程的开发，，，，，，如今已经形成了自己怪异的 CMOS/ANALOG, BICMOS,RF/Mixed-Signal CMOS,BCD,功率器件和MEMS 工艺平台以及一系列客造化工艺平台 。。。。。。。。公司在功率模拟工艺技术方面拥有主题竞争力，，，，，，推出的0.8μm/1.0μm UHV BCD工艺解决规划为绿色电源和半导体显示领域的产品开发提供了越发有力的支持 。。。。。。。。
我们是您始终值得信任的同伴！
工艺路线图
BCD
公司为您提供大功率模拟器件工艺解决规划，，，，，，基于自有的主流工艺平台提供富有竞争力的HV、CDMOS、BCDMOS工艺，，，，，，满足您对于高效能的电源转换和高电压利用的需要 。。。。。。。。特有的客造化工艺平台更大限度地为您定造您的工艺，，，，，，助您获得最大利润 。。。。。。。。公司的模拟工艺提供多沉器件类型，，，，，，宽泛利用于各新兴市 。。。。。。。。，，，，，蕴含电源治理、LED驱动、汽车电子以及音频电路等 。。。。。。。。
| BCD | 0.18μm | 0.18μm AB BCD(7V-24V) |
| 0.18μm DB BCD G2S(7V-80V) | ||
| 0.18μm DB BCD G2S(80V-120V) | ||
| 0.18μm DB BCD G3(7V-40V) | ||
| 0.25μm | 0.25μm s-BCD G2(12V-60V) | |
| 0.8μm | 0.8μm 700V BCD G3S | |
| 0.8μm 40V Power Analog | ||
| 1.0μm | 1.0μm 600V HVIC | |
| 1.0μm 60V/120V HV | ||
| 1.0μm 25V/40V HV |
Standard Analog
公司的主流模拟工艺已经成功利用于客户的电源治理、电池充电、幼尺寸LED背光产品，，，，，，蕴含DC-DC转换、线性调节器、音频功率放大器、调和谐节造电路等 。。。。。。。。多年的量产经验证明，，，，，，公司的特色工艺平台和设计服务支持、工艺设计文件包和单元库可能以唯一无二的优势为客户提供拥有成本效益的主流模拟产品解决规划，，，，，，同时我们专业的设计服务支持还可能有效提高客户产品的一次流片成功率，，，，，，缩短客户的设计周期和产品上市功夫 。。。。。。。。
| Standard Analog | 0.25μm | 0.25μm 5V Salicide Analog |
| 0.35μm | 0.35μm 3V/5V Mixed-Signal | |
| 0.5μm/0.35μm | 0.5μm/0.35μm 5V Mixed-Signal | |
| 0.5μm/0.35μm 7V LDO |
Mixed-Signal/RF
公司的模拟信号和RF CMOS工艺与尺度的CMOS逻辑工艺齐全匹配 。。。。。。。；；；；；；诼呒ひ掌教ǎ，，，，，我们提供0.18μm/0.16μm/0.153μm和0.13μm/0.11μm线宽的模拟信号和RF CMOS工艺 。。。。。。。。尊龙凯时模拟信号和RF CMOS工艺提供一些推进芯片机能的选项，，，，，，如Deep N-well、Multiple operating voltages (Vt)、MIM capacitors、High poly resistors、(Ultra Thick Top Metal) Inductors、Varactor 。。。。。。。。通过使用公司提供的PDK、SPICE、Command files、RC extraction等设计工具，，，，，，客户能够获得高机能，，，，，，低成本的设计规划 。。。。。。。。
| Mixed-Signal/RF | 0.11μm | 0.11μm ULL |
| 0.11μm e-Flash | ||
| 0.153um | 0.153μm CMOS EN (5V) | |
| 0.18μm | 0.18μm/0.16μm/0.153μm 1.8V/3.3V G | |
| 0.18μm/0.16μm/0.153μm 1.8V/5V G | ||
| 0.18μm CMOS EN(3.3V or 5V) | ||
| 0.18μm e-Flash |
